硫?qū)馘a化物（Sn-,x-S-,y-）納米薄膜制備及特性.pdf

1、采用真空熱蒸發(fā)法在玻璃襯底制備納米硫?qū)馘a化物薄膜(Sn<,x>S<,y>)薄膜。在空氣、氮氣氣氛下對薄膜進行不同條件的熱處理，獲得性能良好的SnS、SnS<,2>、Sn<,2>S<,3>納米多晶薄膜。經(jīng)X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、能譜儀、分光光度計等方法對薄膜各種性能進行測試，并研究不同制備工藝、不同Sn與S配比的蒸發(fā)粉末對SnS、SnS<,2>和Sn<,2>S<,3>薄膜的物相結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸、表面形貌、光電特性的影響。 實驗

2、結(jié)果顯示：采用Sn∶S混合粉末比例為1∶0.8(at％)作為蒸發(fā)物制備出的薄膜，經(jīng)過T=330℃，t=40min(氮氣)熱處理可獲得正交晶系的P型SnS納米多晶薄膜；薄膜沿(021)晶向擇優(yōu)生長結(jié)構(gòu)性能良好，平均晶粒尺寸約為62.17nm．。當(dāng)Sn∶S比例為1∶1.2(at％)時，制備出的薄膜在氮氣中經(jīng)T=430℃，t=40min熱處理后，可得到晶相結(jié)構(gòu)良好的正交晶系N型Sn<,2>S<,3>納米多晶薄膜；平均晶粒尺寸為60.37nm。

3、Sn∶S比例為1∶1.5(at％)時，在氮氣中經(jīng)T=430℃，t=40min熱處理可獲得六角晶系SnS<,2>納米多晶薄膜；導(dǎo)電類型為N型，平均晶粒尺寸約77.07nm。掃描電鏡分析給出，三種結(jié)構(gòu)的薄膜表面均勻平整呈孔狀結(jié)構(gòu)，致密度較好，顆粒大小較均勻，顆粒聚集現(xiàn)象較弱。能譜分析給出SnS，SnS<,2>薄膜接近物質(zhì)的化學(xué)計量比，Sn<,2>S<,3>薄膜偏離物質(zhì)的化學(xué)計量比稍大。 SnS薄膜在350-900nm范圍內(nèi)透射率非常