集成電路的飛速發(fā)展促使半導(dǎo)體材料和工藝不斷更新?lián)Q代對于MOS器件柵極介質(zhì)材料也提出了更高的要求傳統(tǒng)的SIO2柵極氧化層已逐漸不能適合工藝需求高K氧化物材料成為這一領(lǐng)域的熱門研究方向。本文以高K柵氧化物作為應(yīng)用背景通過射頻反應(yīng)磁控濺射的方法以氧氣通量、濺射時...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 樹葉的顫動 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 6人氣
由于以FLASH為代表的傳統(tǒng)存儲器遇到了技術(shù)瓶頸，人們提出了許多新型存儲器，其中阻變存儲器（RRAM）憑借著其簡單的結(jié)構(gòu)、低壓低功耗、操作速度快、可伸縮性并且它與傳統(tǒng)COMS工藝技術(shù)兼容等優(yōu)點(diǎn)，從而成為人們的研究焦點(diǎn)。然而目前對于RRAM存儲器阻變現(xiàn)象的微觀機(jī)制解...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 空寄語 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 15人氣
0010碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文摻鎳納米微粒摻鎳納米微粒HFO2薄膜的電荷存儲特性薄膜的電荷存儲特性論文作者朱華星指導(dǎo)教師邱曉燕副教授學(xué)科專業(yè)凝聚態(tài)物理研究方向納米薄膜存儲器件制備與性能提交論文日期2016年4月20日論文答辯日期2016年6月4日學(xué)位授予單位西南大學(xué)...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 你曾對我言 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 6人氣
半導(dǎo)體器件尺寸隨著制造工藝和集成電路技術(shù)迅速發(fā)展而持續(xù)的等比例縮小，隧穿氧化層厚度也隨之不斷減薄，致使泄漏電流增大存儲單元間隔不斷減小，浮柵與控制柵間耦合降低，導(dǎo)致相鄰浮柵串?dāng)_增強(qiáng)，傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性存儲器難以達(dá)到對存儲器保持特性的要求，故難...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 善惡無定 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 15人氣
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： admin / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 5人氣
CC復(fù)合材料高溫強(qiáng)度高、密度低，適合應(yīng)用于高超聲速飛行器的翼前緣和鼻錐，但是其在高溫有氧環(huán)境會發(fā)生氧化失效。IR熔點(diǎn)很高、氧滲透率極低，是CC復(fù)合材料很好的抗氧化耐高溫防護(hù)陶瓷涂層。但是，IR涂層熱輻射率低，輻射冷卻效果較差，在氣動加熱情況下，較低工況時...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 對的事 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
作為代表性的高K材料，氧化鉿HFO2已被廣泛應(yīng)用于微電子工業(yè)。最近采用特殊工藝制備的摻雜HFO2薄膜被發(fā)現(xiàn)具有明顯的鐵電性質(zhì)。新型鐵電材料與硅基CMOS集成電路工藝良好的兼容性對于集成鐵電學(xué)的發(fā)展具有重要意義，預(yù)期將帶來鐵電存儲器研究的新突破。與鈣鈦礦型鐵電材...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 月圓了殘 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 27人氣
20世紀(jì)60年代，戈登摩爾博士提出了著名的摩爾定律，即集成電路的特征尺寸每三年縮小07倍，集成度每三年增長四倍。四十年來，集成電路產(chǎn)業(yè)一直遵循該定律所預(yù)言的速度發(fā)展，CMOS器件尺寸的不斷縮小，集成度不斷提高，二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度也需要相應(yīng)下降，但受量子...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 熱吻柔骨 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 5人氣
應(yīng)變和高K柵技術(shù)都是延續(xù)摩爾定理的重要手段，將兩種技術(shù)相結(jié)合，不僅可以有效地提高集成電路的工作速度，還可以降低柵電流引起的靜態(tài)功耗等問題，是提升集成電路性能的有效途徑。同時，隨著應(yīng)變器件與電路應(yīng)用范圍的擴(kuò)展，其輻照特性也越來越受到關(guān)注，成為了新的研...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 你的 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 9人氣
隨著器件等比例縮小難度和成本的不斷增加，以SI作為溝道材料SIO2作為柵介質(zhì)的傳統(tǒng)CMOS發(fā)展接近物理極限，高K介質(zhì)HFO2柵高遷移率GE溝道MOSFET成為未來CMOS集成電路技術(shù)發(fā)展的潛在選擇之一。然而METALHFO2GE結(jié)構(gòu)MOS器件存在界面態(tài)密度高、柵極漏電流大等問題，因此研究...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 你就要錯過我 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
二氧化鉿以其良好的力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能而被廣泛地應(yīng)用于機(jī)械、電子、航空、航天和軍事等領(lǐng)域。特別是HFO2薄膜良好的光學(xué)性能和高的激光損傷閾值，使得其用作強(qiáng)激光系統(tǒng)和慣性約束聚變的光學(xué)薄膜元件時，具有重要的應(yīng)用前景。本研究以四氯化鉿為前驅(qū)體，選擇...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 芳心盡攬 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，納米HFO2（納米膜及納米粉體）成為近年來科學(xué)前沿一個非?；钴S的研究領(lǐng)域。本文采用“自下而上”的非水溶液法制備了不同形貌的單斜相HFO2納米粉末，成功探索出了幾種操作簡單、成本低廉、尺寸和形貌均一的制備HFO2納米粉末的方法“注射法”、“...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 滿腹惆悵 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
本論文采用反應(yīng)射頻磁控濺射技術(shù)制備了一系列不同襯底溫度的HFO2薄膜及不同GD摻雜量的HFGDO薄膜，其中對于HFGDO薄膜，通過改變GD靶材的數(shù)量來調(diào)節(jié)薄膜中GDHFGD原子比其值介于072％。采用電子探針顯微鏡EPMA、X射線衍射XRD分析儀、原子力顯微鏡AFM、紫外可見光分光光...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 談笑 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 4人氣
隨著硅基半導(dǎo)體集成電路集成度的迅猛提高，其基本組成單元金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFETS的溝道長度已縮短到45NM。根據(jù)ITRSROADMAP2009年公布的發(fā)展規(guī)劃，在采用新結(jié)構(gòu)、引入新材料的前提下，MOSFETS將在2020年進(jìn)入14NM技術(shù)時代。為保持其高的柵極電容，原有的...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 想把你抱緊 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 7人氣
西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 布丁 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣
本文的主要內(nèi)容是金屬氧化物薄膜HFO2和ZRO2的制備及相應(yīng)的樣品表征和性質(zhì)研究。我們摸索發(fā)展了一種制備HFO2和ZRO2的薄膜的新方法利用等離子體輔助反應(yīng)脈沖激光沉積的方法進(jìn)行樣品的制備。主要研究了薄膜的光學(xué)性質(zhì)及電學(xué)性質(zhì)對薄膜的結(jié)構(gòu)及界面性質(zhì)、薄膜的光學(xué)常數(shù)...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 虞姬 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 6人氣
碩士學(xué)位論文SI摻雜HF02鐵電薄膜的可靠性研究STUDYOFTHERELIABILITYCHARACTERISTICSFORSIDOPEDHF02FERROELECTRICTHINFILMS學(xué)21305053完成日期大連理工大學(xué)DALIANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY摘要將鐵電薄膜材料與硅基半導(dǎo)體集成工藝相結(jié)合而發(fā)展起來的鐵電存儲器具有非易...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 回頭 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 6人氣
浙江師范大學(xué)2008級碩士學(xué)位論文超薄HF02柵MOS結(jié)構(gòu)CV和IV模擬MODELINGOFCAPACITF6心寸CEVOLTAGEANDTI_NNEL玎NGCURRENTOFMOSSTRUCTUREWITHULTRATHINHF02GATEDIELECTRIC作者胡波指導(dǎo)教師黃仕華浙江師范大學(xué)數(shù)理與信息工程學(xué)院2011年4月6日超薄HF02柵MOS結(jié)構(gòu)CV和IV模擬...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 一味猛藥 / 發(fā)布時間：2024-03-06 / 10人氣
點(diǎn)擊查看更多“外文翻譯--超薄hfo2薄膜納米劃痕測試的力學(xué)性能研究”精彩內(nèi)容。
下載價格：8 賞幣 / 發(fā)布人： 翻譯員 / 發(fā)布時間：2024-03-01 / 4人氣
隨著巨大規(guī)模集成電路GSI的問世其基本組成單元補(bǔ)償性金屬氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管CMOSFETS的溝道長度已經(jīng)縮短至32NM并正向22NM邁進(jìn)。為了保持足夠大的驅(qū)動電流和高的柵極電容傳統(tǒng)SIO2SIOXNY柵介質(zhì)層厚度也隨之減薄。但當(dāng)其厚度減小至＜1NM時量子隧穿效應(yīng)導(dǎo)致的柵...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 回到過去 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 14人氣
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