代號分類號學號密級代號分類號學號密級10701TN3公開公開1175960057題（中、英文）（中、英文）目TM模808LD外延片外延片MOCVD外延生長研究外延生長研究STUDYONMOCVDGROWTHOF808NMLASERSTUDYONMOCVDGROWTHOF808NMLASERDIODEWITHTMPOLARIZATIONDIODEWITHTMPOLARIZATION...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： admin / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 5人氣
形式邏輯基礎概念第三講概念的內(nèi)涵和外延9第三講第三講概念的內(nèi)涵和外延概念的內(nèi)涵和外延先講一個小故事。西班牙文學名著唐吉訶德中，有這樣一段情節(jié)桑丘總督在任時，遇到這樣一個案件有個小氣鬼拿了一塊布去請一個裁縫做一頂帽子。他問布夠不夠用裁縫量了布之后說布...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 18人氣
襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面1結構特性好，外延材料與襯底的晶體結構相同或相近、晶格常數(shù)失配度...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-06 / 2人氣
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下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 不要拒絕我 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 10人氣
LED外延片外延片襯底材料襯底材料襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面1結構特性好，外延材料與襯底的晶...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-07 / 2人氣
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下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 以悲傷 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 8人氣
隨著半導體和集成電路技術的發(fā)展工作生活與半導體材料的關系越來越緊密。無論是計算機手持電話這些日益普及的消費類電子產(chǎn)品上還是在醫(yī)療航空航天等高精尖的技術領域的工具器材上都離不開半導體芯片。而隨著社會的發(fā)展和進步人們對電子產(chǎn)品的要求越來越高例如希望手...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 大小皆歡喜 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 12人氣
南京航空航天大學碩士學位論文音樂編輯的內(nèi)涵與外延姓名惲星申請學位級別碩士專業(yè)音樂學指導教師黃舒拉20081201音樂編輯的內(nèi)涵與外延IIABSTRACTINTHISPAPERANEXTRADINARYRESEARCHRESPECTIVEWASPUTINTOTODLEMANACTIVATINGINMUSICCOMMUNICATIONWHOISCALLEDMUSICEDITTHE...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 扶孤 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 21人氣
GAN是一種性能優(yōu)越的第三代寬禁帶半導體材料，直接帶隙寬度為34EV，可以被用于制造高性能光電子器件、高功率電力器件以及高頻電子器件等，具有廣泛的應用前景和經(jīng)濟價值。然而，GAN晶體也是最難以獲得的半導體材料之一。GAN單晶襯底非常難以制備且價格極其昂貴，這一...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 炸了 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 12人氣
本文利用MONTECARLO方法，結合薄膜生長理論，采用TURBOBASIC語言編寫程序，對外延薄膜的生長過程進行了模擬。所用的模型為改進的擴散有限聚集模型DLA，研究了薄膜生長過程中沉積速率和襯底溫度對表面形貌的影響。通過模擬，獲得了不同沉積速率及不同襯底溫度的薄膜形...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 淚干 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 13人氣
本論文主要研究了紫光LED中量子壘和電子阻擋層的設計，主要結論如下1首先利用SILENSE軟件模擬分析了ALGAN量子壘在紫光LED結構的作用，重點分析了它對載流子的限制作用，提高載流子注入效率，以及對電子空穴濃度分布均勻影響。由于ALGAN量子壘的限制作用，減少載流子...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 久別重逢蓄謀已久 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
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下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 5人氣
氮化鎵GAN由于其禁帶寬度大、化學性質穩(wěn)定、耐高溫、遷移率高等優(yōu)點在光電與功率微波器件方面得到了廣泛的應用。目前GAN缺少同質外延材料一般都是采用MOCVD法進行異質外延生長。目前的商用GAN基器件中藍寶石成為應用最廣泛、技術最成熟的襯底但是SI襯底與藍寶石等襯...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 白裙 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎，IC制造裝備作為其技術先導，是信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支柱。據(jù)統(tǒng)計，硅外延片銷量占全球整體硅片市場的份額超過30％，并且其需求量呈現(xiàn)出持續(xù)上升的態(tài)勢，國內(nèi)對硅外延片的需求增速則更為迅猛，需求迫切。國外，200MM、300MM的硅外延片已...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 戲言 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
GAASALGAAS量子阱紅外探測器QWIP技術是上個世紀90年代發(fā)展起來的。與其它紅外探測技術相比，QWIP具有響應速度快、探測率與HGCDTE紅外探測器相近、探測波長可通過量子阱結構參數(shù)的調(diào)節(jié)加以控制等優(yōu)點，而且采用MBE或MOCVD等先進外延生長技術可制備出品質高、大面積均...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 樂意 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣
INP是一種優(yōu)良的ⅢⅤ族化合物半導體材料，它廣泛應用于微波毫米波器件領域。高電子遷移率晶體管HEMT是基于異質結調(diào)制摻雜發(fā)展起來的一種高頻高速半導體器件。INPPHEMT的高頻、低噪聲性能十分優(yōu)越，但是功率性能有待于進一步提高。電子遷移率ΜN和二維電子氣2DEG面密...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 慣己 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 5人氣
本文主要研究內(nèi)容是GASB的同質異質外延生長和材料的表征和物性分析，利用同質外延指導異質外延的生長。具體如下采用分子束外延在GAASGASB襯底上同質異質外延上生長GASB薄膜，在外延生長過程中，我們利用RHEED對生長過程進行監(jiān)測，記錄下各種衍射震蕩圖，確定了生長速...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 迷離的眼 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
相比于GA面GAN基外延材料長期以來N面GAN基外延材料的表面形貌與結晶質量均很不理想。然而通過研究人員的不懈努力在2007年前后首次通過MBE及MOCVD在藍寶石和C面SIC襯底上實現(xiàn)了較高質量的N面GAN基外延薄膜與HEMT器件。國內(nèi)相關研究目前均處于起步階段。本文的主要工作...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 臭臉 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 9人氣
GAN屬于第三代半導體材料，具有化學性質穩(wěn)定、帶隙寬、電子遷移率高等特點，在光電和微電子器件、大功率電子探測、高溫和高頻電子器件等方面具有良好的發(fā)展前景。異質外延生長GAN薄膜常用AL2O3和SI作為襯底，但由于GAN與AL2O3和SI間的晶格失配較大，常采用緩沖層來降...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 熱 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 8人氣
論消費者外延的擴張論消費者外延的擴張學位類型專業(yè)學位學位類型專業(yè)學位論文作者尚斯宇論文作者尚斯宇學號號2014188109520141881095培養(yǎng)學院法學院培養(yǎng)學院法學院專業(yè)名稱法律碩士（法學）專業(yè)名稱法律碩士（法學）指導教師蘇號朋指導教師蘇號朋教授教授20162016年5...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 北港不夏南港不秋 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 3人氣
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