硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)垂向精密運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、硅片表面顆粒污染檢測(cè)在當(dāng)今極大規(guī)模集成電路制造中扮演著日益重要的角色。為了保證檢測(cè)效率以滿足產(chǎn)能需要，硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)需采用高速旋轉(zhuǎn)、連續(xù)進(jìn)給的螺旋運(yùn)動(dòng)對(duì)硅片進(jìn)行掃描。旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的軸向跳動(dòng)導(dǎo)致硅片表面偏離光學(xué)檢測(cè)的焦平面，造成成像質(zhì)量下降。對(duì)于未來(lái)45-22nm工藝節(jié)點(diǎn)而言，需保證旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)臺(tái)的垂向定位精度達(dá)±0.5μm，這對(duì)硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)垂向精密運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)和控制提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
　　本文主要開(kāi)展硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)垂向精密運(yùn)動(dòng)機(jī)

2、構(gòu)的總體方案設(shè)計(jì)、零部件選型及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)分析、垂向定位控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究，主要工作和成果如下：
　　根據(jù)硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的總體指標(biāo)要求，分析了垂向精密運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的功能和性能需求，提出了滾動(dòng)導(dǎo)軌導(dǎo)向、氣缸平衡重力、音圈電機(jī)實(shí)現(xiàn)位置補(bǔ)償控制的垂向精密運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)總體方案，同時(shí)滿足了換片工序的垂向大行程運(yùn)動(dòng)和檢測(cè)工序的精密定位要求。
　　開(kāi)展了氣缸、音圈電機(jī)、光柵尺和滾動(dòng)導(dǎo)軌等關(guān)鍵部件的分析、選型與校核研究，完成了垂向精密運(yùn)動(dòng)