模擬集成cmos考試題

1、11、與其它類型的晶體管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____縮小，CMOS電路被證明具有_較低__的制造成本。2、放大應用時，通常使MOS管工作在_飽和區(qū)，電流受柵源過驅動電壓控制，我們定義_跨導_來表示電壓轉換電流的能力。3、λ為溝長調制效應系數(shù)，對于較長的溝道，λ值____較小___（較大、較?。?。4、源跟隨器主要應用是起到___電壓緩沖器___的作用。5、共源共柵放大器結構的一個重要特性就是_輸出阻抗_很高，因此可以

2、做成___恒定電流源_。6、由于_尾電流源輸出阻抗為有限值_或_電路不完全對稱_等因素，共模輸入電平的變化會引起差動輸出的改變。7、理想情況下，_電流鏡_結構可以精確地復制電流而不受工藝和溫度的影響，實際應用中，為了抑制溝長調制效應帶來的誤差，可以進一步將其改進為__共源共柵電流鏡__結構。8、為方便求解，在一定條件下可用___極點—結點關聯(lián)_法估算系統(tǒng)的極點頻率。9、與差動對結合使用的有源電流鏡結構如下圖所示，電路的輸入電容Cin為_

3、_CF（1－A）__。10、λ為溝長調制效應系數(shù)，λ值與溝道長度成___反比__（正比、反比）。二名詞解釋（每題二名詞解釋（每題3分，共分，共15分）分）1、阱解：在CMOS工藝中，PMOS管與NMOS管必須做在同一襯底上，其中某一類器件要做在一個“局部襯底”上，這塊與襯底摻雜類型相反的“局部襯底”叫做阱。2、亞閾值導電效應解：實際上，VGS=VTH時，一個“弱”的反型層仍然存在，并有一些源漏電流，甚至當VGSVTH時，ID也并非是無限

4、小，而是與VGS呈指數(shù)關系，這種效應叫亞閾值導電效應。3、溝道長度調制解：當柵與漏之間的電壓增大時，實際的反型溝道長度逐漸減小，也就是說，L實際上是VDS的函數(shù)，這種效應稱為溝道長度調制。4、等效跨導Gm3(2)2、畫出差動對的輸入輸出特性曲線（ΔID~ΔVin）。要求：（1）標出曲線中關鍵轉折點和極限點的坐標；（2）由圖分析：通過什么措施可以使差動對的線性度更好。解：其中，，增大ISS或減小WL，可使電路的線性更好。四簡答（（每題四簡

5、答（（每題7分，共分，共21分）分））1、“MOS器件即使沒有傳輸電流也可能導通”，這種說法正確么？為什么？解：正確。當時，器件工作在深線性區(qū)，此時雖然足夠的VGS可以滿足器件的)(2THGSDSVVV???導通條件，但是VDS很小，以至于沒有傳輸電流。2、什么是體效應？體效應會對電路產生什么影響？解：理想情況下是假設晶體管的襯底和源是短接的，實際上兩者并不一定電位相同，當VB變得更負時，VTH增加，這種效應叫做體效應。體效應會改變晶體