雙極型微晶管設(shè)計課程設(shè)計任務(wù)書微電子專業(yè)

1、廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計任務(wù)書廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計任務(wù)書題目名稱pnp雙極型晶體管的設(shè)計學(xué)生學(xué)院材料與能源學(xué)院專業(yè)班級微電子專業(yè)09級1班姓名學(xué)號一、課程設(shè)計的內(nèi)容一、課程設(shè)計的內(nèi)容設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型硅雙極晶體管，滿足T=300K時，基區(qū)摻雜濃度為NB=1016cm3`共發(fā)射極電流增益β=50V。BVCEO=60V，設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響，假設(shè)經(jīng)驗參數(shù)為年n=3)二、課程設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)二、課程設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)1了解

2、晶體管設(shè)計的一般步驟和設(shè)計原則2根據(jù)設(shè)計指標(biāo)設(shè)計材料參數(shù)，包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度NENB和NC根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù)，遷移率，擴散長度和壽命等。3根據(jù)主要參數(shù)的設(shè)計指標(biāo)確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)，包括集電區(qū)厚度Wc，基本寬度Wb，發(fā)射區(qū)寬度We和擴散結(jié)深Xjc發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje等。4根據(jù)擴散結(jié)深Xjc發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預(yù)擴散和再擴散的擴散溫度和擴散時間；由擴散時間確定氧化層的氧化溫度、氧化厚度和氧化時間

3、。5根據(jù)設(shè)計指標(biāo)確定器件的圖形結(jié)構(gòu)，設(shè)計器件的圖形尺寸，繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。6.根據(jù)現(xiàn)有工藝條件，制定詳細的工藝實施方案。7撰寫設(shè)計報告三、課程設(shè)計應(yīng)完成的工作三、課程設(shè)計應(yīng)完成的工作1.材料參數(shù)設(shè)計2.晶體管縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計主管院長簽章：主管院長簽章：廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計任務(wù)書廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計任務(wù)書題目名稱npn雙極型晶體管的設(shè)計學(xué)生學(xué)院材料與能源學(xué)院專業(yè)班級微電子專業(yè)09級2班姓名學(xué)號一、課程設(shè)計的內(nèi)容一、課程

4、設(shè)計的內(nèi)容設(shè)計一個均勻摻雜的npn型雙極晶體管，滿足T=300K時，共基極電流增益?=0.9920，BVCBO=90VNB=1017cm3。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響，假設(shè)經(jīng)驗參數(shù)為年n=3)二、課程設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)二、課程設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)1了解晶體管設(shè)計的一般步驟和設(shè)計原則2根據(jù)設(shè)計指標(biāo)設(shè)計材料參數(shù)，包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度NENB和NC根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù)，遷移率，擴散長度和壽命等。3根據(jù)主要參數(shù)

5、的設(shè)計指標(biāo)確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)，包括集電區(qū)厚度Wc，基本寬度Wb，發(fā)射區(qū)寬度We和擴散結(jié)深Xjc發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje等。4根據(jù)擴散結(jié)深Xjc發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預(yù)擴散和再擴散的擴散溫度和擴散時間；由擴散時間確定氧化層的氧化溫度、氧化厚度和氧化時間。5根據(jù)設(shè)計指標(biāo)確定器件的圖形結(jié)構(gòu)，設(shè)計器件的圖形尺寸，繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。6.根據(jù)現(xiàn)有工藝條件，制定詳細的工藝實施方案。7撰寫設(shè)計報告三、課程設(shè)計應(yīng)完成的工作