mos管的米勒效應(yīng)-講的很詳細(xì)

1、米勒效應(yīng)的影響：MOSFETMOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFETMOSFET的輸入電容（主的輸入電容（主要是柵源極電容要是柵源極電容CgsCgs）的充放電過(guò)程；當(dāng)）的充放電過(guò)程；當(dāng)CgsCgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后，達(dá)到門(mén)檻電壓之后，MOSFETMOSFET就會(huì)就會(huì)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài)；當(dāng)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài)；當(dāng)MOSFETMOSFET開(kāi)通后，開(kāi)通后，VdsVds開(kāi)始下降，開(kāi)始下降，IdId

2、開(kāi)始上升，此時(shí)開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFETMOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，VgsVgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)IdId已經(jīng)達(dá)已經(jīng)達(dá)到最大，而到最大，而VdsVds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，VgsVgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)的值，此時(shí)MOSFETMOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)VdsVds徹底降下來(lái)，

3、開(kāi)通結(jié)束。徹底降下來(lái)，開(kāi)通結(jié)束。由于米勒電容阻止了由于米勒電容阻止了VgsVgs的上升，從而也就阻止了的上升，從而也就阻止了VdsVds的下降，這樣就會(huì)使損的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。耗的時(shí)間加長(zhǎng)。（VgsVgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而VdsVds下降）下降）米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后

4、GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段呢？因?yàn)?，在MOSMOS開(kāi)通前，開(kāi)通前，D極電壓大于極電壓大于G極電壓，極電壓，MOSMOS寄生電容寄生電容CgdCgd儲(chǔ)存的電量需要在其導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的電量需要在其導(dǎo)通時(shí)注入注入G極與其中的電荷中和，因極與其中的電荷中和，因MOSMOS完全導(dǎo)通后完全導(dǎo)通后G極電壓大于極電壓大于D極電壓極電壓。米勒效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重增加MOS的開(kāi)通損耗。（MOS管不能很快得進(jìn)入開(kāi)關(guān)狀態(tài)）所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動(dòng)

5、??！選擇MOS時(shí)，Cgd越小開(kāi)通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。MOSFET中的米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志用用示波器測(cè)量用用示波器測(cè)量GSGS電壓，可以看到在電壓上升過(guò)程中有一個(gè)平臺(tái)或凹坑，這就電壓，可以看到在電壓上升過(guò)程中有一個(gè)平臺(tái)或凹坑，這就是米勒平臺(tái)。是米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)指在米勒效應(yīng)指在MOSMOS管開(kāi)通過(guò)程會(huì)產(chǎn)生米勒平臺(tái)管開(kāi)通過(guò)程會(huì)產(chǎn)生米勒平臺(tái)，原理如下。理論上驅(qū)動(dòng)電路在G級(jí)和S級(jí)之間加足夠大的電

6、容可以消除米勒效應(yīng)。但此時(shí)開(kāi)關(guān)時(shí)間會(huì)拖的很長(zhǎng)。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個(gè)平緩部分就是米勒平臺(tái)。to~t1:Vgsfrom0toVth.Mosfet沒(méi)通.電流由寄生二極管Df.t1~t2:VgsfromVthtoVa.Idt2~t3:Vds下降.引起電流繼續(xù)通過(guò)Cgd.Vdd越高越需要的時(shí)間越長(zhǎng).Ig為驅(qū)動(dòng)電流.開(kāi)始降的比較快.當(dāng)Vdg接近為零時(shí)Cgd增加.直到Vdg變負(fù)Cgd增加到最大.下降變慢.