mos管參數(shù)詳解及驅動電阻選擇

1、MOSMOS管參數(shù)解釋管參數(shù)解釋MOS管介紹管介紹在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，一般都要考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應用的為增強型的NMOS管和增強型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NM

2、OS。在MOS管內部，漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極管很重要，并且只在單個的MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內部通常是沒有的。Idm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作結溫，通常為150度和175度Tstg:最大存儲溫度Iar:雪崩電流Ear:重復雪崩擊穿能量Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量BVdss：DS擊

3、穿電壓Idss:飽和DS電流，uA級的電流Igss:GS驅動電流，nA級的電流.gfs:跨導Qg:G總充電電量Qgs:GS充電電量Qgd:GD充電電量Td(on):導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間Tr:上升時間，輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間Td(off):關斷延遲時間，輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間Tf:下降時間，輸出電壓VDS從10%上升到其幅