第14章 二極管和晶體管

1、第14章二極管和晶體管二極管和晶體管1、PN結具有單向導電性，其導電的方向是從()到()。A、NPB、PNC、正負D、負正2、在P型半導體中，()為多數(shù)載流子，而在N型半導體中，()為多數(shù)載流子。A、空穴電子B、電子空穴C、電子電子D、空穴空穴3、自由電子為多數(shù)載流子的半導體為A、P型半導體B、N型半導體C、本征半導體4、空穴為多數(shù)載流子的半導體為：A、P型半導體B、N型半導體C、本征半導體5、半導體中的空穴電流是由于()遞補()而產生

2、的。A、空穴電子B、電子空穴C、電子電子D、空穴空穴6、半導體中的電子電流是由于（）而產生的。A、空穴獲得能量運動B、電子獲得能量運動C、電子遞補空穴7、當PN結的P區(qū)接電源的負極，而N區(qū)接電源的正極，PN結就A、正向導通B、反向截止C、PN結變窄8、當PN結的P區(qū)接電源的正極，而N區(qū)接電源的負極，PN結就A、正向導通B、反向截止C、PN結變寬9、.硅二極管的死區(qū)電壓約為()伏，而鍺二極管的死區(qū)電壓約為()伏。A、0.50.1B、0

3、.70.3C、0.30.7D、0.10.510、硅二極管導通時的正向壓降約為()伏，而鍺二極管導通時的正向壓降約為()伏。A、0.70.3B、0.70.7C、0.30.7D、0.50.111、穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別為A、正向壓降小B、正向壓降大C、穩(wěn)壓管反向擊穿是可逆的D、普通二極管反向擊穿是可逆的12、穩(wěn)壓管動態(tài)電阻愈小，則：A、它的穩(wěn)壓效果愈好B、它的穩(wěn)壓效果愈差C、它的正向壓降愈大D、它的正向壓降愈小13、當三極管的()正向

4、偏置，而()反向偏置時，三極管具有電流放大作用。A、發(fā)射結集電結B、集電結發(fā)射結C、PN結集電結D、發(fā)射結PN結14、當三極管的發(fā)射結正向偏置，而集電結反向偏置時，三極管就A、具有電流放大作用B、處于截止狀態(tài)C、處于飽和狀態(tài)15、當三極管的發(fā)射結正向偏置，而集電結也正向偏置時，三極管A、具有電流放大作用B、處于截止狀態(tài)C、處于飽和狀態(tài)16、當三極管的發(fā)射結反向偏置，而集電結也反向偏置時，三極管就A、具有電流放大作用B、處于截止狀