二極管介紹一

1、名詞符號定義反向工作峰值電壓VRWM反向工作時允許施加的最大瞬時電壓值，不包括所有重復和不重復瞬態(tài)電壓。反向重復峰值電壓VRRM反向電壓的最大瞬時值，包括所有的重復瞬態(tài)電壓，但不包括所有的不重復瞬態(tài)電壓。反向不重復峰值電壓VRSM任何反向不重復電壓的最大瞬時值。反向轉折電壓VBR二極管的反向漏電流達到規(guī)定的最大值時的反向電壓值。正向峰值電壓VFM在峰值電流為額定正向平均電流IF(AV)時的電壓最大值。反向峰值電流IRRM無正向功耗，施加

2、額定反向重復峰值電壓VRRM時，反向電流的最大值。正向平均整流電流IF(AV)在額定溫度條件下，允許通過的整流電流的平均值。正向浪涌電流IFSM指在正向平均整流電流下連續(xù)工作之后加的最大電流。與所加的周波數(shù)成反比例非線性關系。反向恢復時間trr在規(guī)定的條件下，二極管從正向導通轉換到反向時，電流通過零點經(jīng)過峰值后，減少到某規(guī)定值時的時間間隔。晶體二極管的分類晶體二極管的分類半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和

3、肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據(jù)PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：一、根據(jù)構造分類1.點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是

4、應用范圍較廣的類型。2.鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。3.合金型二極管在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向

5、電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。4.擴散型二極管在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P5.混頻用二極管使用二極管混頻方式時，在500～10000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點接觸型二極管。6.放大用二極管用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管

6、和變容二極管。7.開關用二極管有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。8.變容二極管用于自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。通過施加反向電壓，使其PN結的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用

7、于自動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。9.頻率倍增用二極管對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。

8、頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。10.穩(wěn)壓二極管是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。芯片主要是采用硅材料的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標

9、準電壓使用而制作的。穩(wěn)定電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到440V。在功率方面，從200mW至100W以上。11.PIN型二極管(PINDiode)這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時

10、，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。12.雪崩二極管(AvalancheDiode)它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是這樣的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時間，若適當?shù)?/p>