合成絕緣子性能研究.pdf

1、合成絕緣子以其獨特的性能與價格優(yōu)勢，打破了瓷絕緣子在高壓外絕緣領域近百年的統(tǒng)治地位，在各國電力系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。與瓷絕緣子相比，合成絕緣子特別是硅橡膠合成絕緣子在耐污性能上的優(yōu)勢顯得尤為突出，因此在我國被大量應用于污穢地區(qū)。使用硅橡膠合成絕緣子是目前解決外絕緣污閃問題最為有效的方法之一。在合成絕緣子使用量越來越大的背景下，對其外絕緣性能的研究有著重要的意義。 2004年3月，南通地區(qū)連續(xù)幾天大霧，華能南通電廠升壓站瓷質絕緣

2、子外絕緣在夜間可以看到明顯的沿面放電，幾乎達到污閃臨界狀態(tài)。4 月，鋼化玻璃絕緣子經(jīng)十幾年運行，也出現(xiàn)了爆裂。該廠外絕緣很有必要進行改進。為了對比合成絕緣子與瓷和鋼化玻璃絕緣子的優(yōu)劣，也有必要對其性能進行研究。 本文用污閃的數(shù)學模型分析了影響合成絕緣子耐污性能的各種因素。結果表明，合成絕緣子的污閃電壓水平由表面的憎水性狀況與污穢度共同決定，兩者中任何一個都不能全面的反映合成絕緣子的污閃特性。人工污穢試驗是絕緣子耐污性能評估以及污

3、閃機理研究的重要手段。本文對污穢試驗中模擬運行絕緣子的不同憎水性狀況、污穢狀況以及受潮濕潤過程等幾個關鍵問題進行了深入的研究，制定出了合成絕緣子的人工污穢試驗方法。進而通過大量的人工污穢試驗研究了憎水性、污穢度以及形狀參數(shù)對合成絕緣子污閃電壓的影響。 試驗結果與理論分析一致。污閃電壓(U<,f>)與憎水性 (以HC值表示)、污穢度(以ESDD表示)之間存在著確定的關系。污閃電壓隨憎水性的增強而增大，隨污穢度的增加而減小。即使在憎

4、水性很強的情況下，U<,f>隨 ESDD 變化的關系依然成立。確定了合成絕緣子的HC值與ESDD值后，參考該絕緣子已有的U<,f>～(HC、ESDD)關系曲線，即可預測污閃電壓的值。形狀系數(shù)對絕緣子的耐污特性也有重要的影響，污閃梯度隨絕緣子等效直徑D<,e>的增大而降低。即使是在憎水性完全喪失的極端情況下，合成絕緣子由于等效直徑小的原因，污閃電壓仍然比瓷絕緣子高出20％左右。 從憎水性與污穢度共同決定合成絕緣子污閃電壓的觀點出發(fā)