光接收機(jī)放大電路的設(shè)計(jì)與測(cè)試.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著硅深亞微米集成電路的發(fā)展，MOS晶體管的頻率特性也逐步提高，MOS晶體管的fT值已經(jīng)超過(guò)100GHz。硅光電集成接收機(jī)開(kāi)始活躍，硅基的光接收機(jī)的優(yōu)勢(shì)在于它有強(qiáng)大的各種功能的IC支持，價(jià)格也相對(duì)便宜，缺點(diǎn)是響應(yīng)波長(zhǎng)較短，響應(yīng)速度相對(duì)也低。而在光存儲(chǔ)系統(tǒng)中和短距離內(nèi)多信道并行傳輸則不受這些缺點(diǎn)的限制?，F(xiàn)在國(guó)外對(duì)OEIC接收機(jī)仍然處于研究階段，因此開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、用于光纖傳輸?shù)母咚偌呻娐穼?duì)我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和信息高速公路的建設(shè)具有

2、重大意義，而光接收機(jī)是其中最重要的一環(huán)。 要實(shí)現(xiàn)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS兼容的OEIC接收機(jī)，要求有快速、低噪的探測(cè)器和高增益、寬帶和低噪的放大電路。因此，該文采用了帶有淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)的雙光電二極管(DPD)作為探測(cè)器；采用電流模負(fù)反饋放大器(CFA)作為接收機(jī)的前置放大器；采用有源電感放大器作為主放大器。 該論文的主要研究工作： 1)設(shè)計(jì)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相容的帶STI結(jié)構(gòu)的DPD探測(cè)器。通過(guò)器件模擬把握DPD

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