Si晶體中位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的分子動(dòng)力學(xué)模擬.pdf

1、完全弛豫且具有低位錯(cuò)密度的SiGe/Si虛層襯底技術(shù)近年來在微電子，激光，微波等領(lǐng)域應(yīng)用的非常廣泛，對(duì)其性能的研究具有重大的理論和現(xiàn)實(shí)意義。分子設(shè)計(jì)和分子模擬是近來隨著材料科學(xué)與計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展起來的新研究領(lǐng)域，其應(yīng)用前景廣泛，已受到很多研究者特別是材料研究者的重視，分子動(dòng)力學(xué)模擬是分子模擬的一種常用方法。基于位錯(cuò)理論進(jìn)行位錯(cuò)動(dòng)力學(xué)數(shù)值模擬研究成為當(dāng)前一個(gè)嶄新的研究點(diǎn)。本文利用分子動(dòng)力學(xué)技術(shù)對(duì)Si晶體中60度位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行了數(shù)值模

2、擬。 本文介紹了分子動(dòng)力學(xué)模擬的原理及方法，位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)等基本理論。根據(jù)所研究對(duì)象的特點(diǎn)，選用Stillinger-Weber勢(shì)函數(shù)描述了Si原子之間的相互作用，采用Parrinello-Rahman方法對(duì)元胞施加應(yīng)力，用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬了不同溫度、不同應(yīng)力狀態(tài)下Si中60度位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)特性。通過使用自行編制的分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算機(jī)程序，在VisualC++平臺(tái)上開發(fā)一些代碼來實(shí)現(xiàn)模擬過程，并運(yùn)用Matlab與VisualC++的接口技