共振隧穿器件及電路的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文的撰寫是基于天津大學電信學院新型半導體器件與集成技術組和國防科技重點實驗室的合作項目--“新一代化合物半導體器件與電路的研究”進行的。為了探究共振隧穿二極管(RTD)與共振隧穿三極管(RTT)器件的特性，分別在本校實驗室和中國電子科技集團第13研究所進行了芯片制作，并對器件進行了測量，對于測試結果做了詳細的對比與分析。截至目前為止，本課題組和重點實驗室合作，成功研制出高品質的共振隧穿二極管和國內第一只共振隧穿三極管，其電流峰谷比P

2、VCR最高達到47。 論文完整的介紹了RTD與RTT的研制過程，從材料設計、版圖設計、芯片制作、測試、結果分析等各個方面進行了詳細的解釋與論述。文章對芯片的測試結果進行了充分的分析與說明，對RTD正反接地造成的I-V特性曲線的差異性和負阻區(qū)出現(xiàn)正阻現(xiàn)象進行了探討，針對RTT器件發(fā)射極-集電極正反接地造成的I-V特性曲線的差異性和開啟電壓VT隨柵壓漂移的情況進行了討論。并對共振隧穿器件在電路中的應用理論做了深入的研究，并重點對RT

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