硒化鎘多晶合成與單晶生長工藝的改進.pdf

1、在本實驗中，首先，我們從熱力學原理出發(fā)，計算了硒化鎘(CdSe)合成反應的反應焓變，反應熵變，Gibbs自由能，分析了配料的化學計量比，從熱力學角度論證了在中溫(～650℃)下直接液相合成高純CdSe的可能性，選擇了合理的合成工藝參數(shù)，進行了多種Cd、Se配比的CdSe液相合成的實驗，通過X射線粉末衍射法對合成產(chǎn)物進行了分析表明得到了高純CdSe多晶，證實了熱力學分析的正確性。另外，在CdSe晶體的光學性能測試中還發(fā)現(xiàn)，用這種合成原料與

2、化學合成料生長的晶體相比，在中紅外波段538cm-1處沒有吸收峰。分析表明，中溫液相合成的CdSe原料能有效地減小原料中的雜質含量，提高了生長晶體的品質。其次，依據(jù)相平衡原理和穩(wěn)定界面生長模型，確定了生長符合化學計量比的CdSe單晶體的最佳溫度及以穩(wěn)定界面(平界面)生長所需的晶體生長速度。參照研究結果，對氣相法生長CdSe單晶體的工藝過程進行了改進，調整了晶體生長過程中的溫場和速度參數(shù)，首次成功地生長了大直徑(φ20mm)、平界面、符合