某型MCU中掩膜ROM設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著科學與經濟的不斷發(fā)展，中國已經成為世界消費類電子產品的重要生產基地和消費大國，市場對具有各種功能芯片的需求與日俱增，其中MCU芯片以其較高的性價比被廣泛應用在眾多消費類電子產品中。市場的激烈競爭使得MCU芯片制造廠家們對于生產成本的控制十分嚴格。而ROM作為影響MCU芯片成本的關鍵因素，受到設計者們高度的重視。
　　 整個只讀存儲器(ROM)模塊是在總體設計方案確定之后，按照技術指標對電路各個功能模塊進行設計。在設計存儲陣列

2、的時候，提出了一種新的結構：Flat-Cell存儲結構，由于在Flat-Cell工藝中單元陣列全部設計在一個大的有源區(qū)上，是一種平面結構，存儲單元之間是靠PN結進行隔離，不存在場氧化層。所以不會因為場區(qū)熱氧化雜質再分布而使溝道寬度減小，不會有鳥嘴現象發(fā)成，也不會產生窄溝道效應，因此會使單元面積大為減小，集成度提高，性能可靠，同時也降低了制造成本。Flat-Cell技術的提出與應用使得ROM的技術指標得到了很大的提高?；贔lat-Cel

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