寬禁帶半導(dǎo)體SiC和ZnO紫外探測(cè)器的研究與分析.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、 本論文先后綜述了寬禁帶半導(dǎo)體SiC和ZnO的性質(zhì)、材料制備以及器件方面的研究。介紹了我們采用寬禁帶半導(dǎo)體n-4H-SiC和金屬Au研制出的SiC肖特基紫外光電探測(cè)器。并對(duì)基于Si襯底的Au-ZnO-AuUV增強(qiáng)光電探測(cè)器進(jìn)行了測(cè)量分析，器件在200nm到400nm的之間有靈敏的光電響應(yīng)，在370nm附近時(shí)有一個(gè)響應(yīng)的峰值停留，同時(shí)保留了Si在400nm以上波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)；測(cè)試得到的I-V特性符合肖特基接觸的反向特性曲線；電容在OV附

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