粉末涂敷法制備Cu2ZnSnS4薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Cu2ZnSnS4(CZTS)材料是一種直接帶隙的P型半導體，由于其禁帶寬度(1.5eV)與太陽能電池的最佳禁帶寬度值匹配，光吸收系數(shù)大于104 cm-1，因而非常適合作為薄膜太陽能電池的吸收層材料。本文采用粉末涂敷法制Cu2ZnSnS4薄膜，利用三種二元化合物CuS、ZnS和SnS為原料球磨制備前驅料漿，再將料漿涂敷在鈉鈣玻璃襯底上形成前驅體膜，將前驅體膜在Ar氣中進行熱處理，最終制備出單一鋅黃銅相結構的Cu2ZnSnS4薄膜吸收層。

2、采用激光粒度分析測量儀，X-射線衍射(XRD)，掃描電鏡(SEM)，能譜分析(EDS)和紫外可見光譜(UV-vis)對CZTS薄膜進行了表征和光學性能測試，研究了不同配比及不同熱處理溫度對Cu2ZnSnS4薄膜特性的影響規(guī)律，制備了符合太陽能電池吸收層的Cu2ZnSnS4薄膜。
　　實驗結果表明，配比為Zn/Sn=1.17，Cu/(Zn+Sn)=0.96，熱處理溫度為450℃時制備出具有單一鋅黃錫礦結構的、沿(112)晶面擇優(yōu)生長

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